注册 登录  
 加关注
   显示下一条  |  关闭
温馨提示!由于新浪微博认证机制调整,您的新浪微博帐号绑定已过期,请重新绑定!立即重新绑定新浪微博》  |  关闭

ceo.lin的博客

 
 
 

日志

 
 
关于我

來自清貧的純樸鄉村.漂泊他鄉為異客.事業,親情,心靈的世界誰作主!

网易考拉推荐

英特爾、美光開發 3D Xpoint 記憶體,嚇壞三星、Hynix  

2015-08-09 21:13:47|  分类: 默认分类 |  标签: |举报 |字号 订阅

  下载LOFTER 我的照片书  |
3D XPoint 0729
英特爾(Intel Corp.)、美光(Micron Technology Inc.)於 7 月 29 日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」,儲存的資料比 DRAM 高出十倍,讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多,如此革新的技術讓三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK Hynix 大為緊張。

BusinessKorea 7 日報導,3D XPoint 類似次世代 ReRAM 或 PRAM 科技,能完全改變資料儲存的方式,半導體專家相信,自從東芝在 1987 年首次展示 NAND 型快閃記憶體之後,3D XPoint 會是這 30 年間一個相當重要的變革。

NAND 型快閃記憶體在讀取或寫入資料時,不會直接針對某個記憶體單元動作,而是會讀取一整排的單元、然後選出需要的資訊。相較之下,3D XPoint 則可指定特定的記憶體單元,經由電路把資料存入,這些電路被排列成水平與垂直線,其交會點可為每一個單元創造位址。

這種技術能夠輕鬆複製三星獨家生產的 3D V-NAND。英特爾指出,3D XPoint 能夠建立 3D 架構,把記憶體單元層層堆疊,而由於這些單元是被擺在電路中間,因此的確能夠設計出一個多層架構,把單元與電路依序堆疊起來。

英特爾預計今年下半年就能將 3D XPoint 記憶體原型配送給企業夥伴,還打算在 8 月 18-20 日的舊金山開發者論壇(IDF)發布全新產品系列,預計採用 3D Xpoint 的產品將在 2016 年問世。BusinessKorea 引述業界人士指出,三星、SK Hynix 原本認為英特爾的次世代記憶體最快也得等到 2019 年才能量產,怎知英特爾與美光的速度如此之快、讓人大吃一驚,也促使他們加快腳步投資次世代記憶體晶片。

  评论这张
 
阅读(13)| 评论(0)
推荐 转载

历史上的今天

在LOFTER的更多文章

评论

<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

页脚

网易公司版权所有 ©1997-2016